Leistungssteigerung in Transistoren mit Metallgatestapeln mit großemεund einem eingebetteten Verspannungsmaterial durch Ausführen eines zweiten Epitaxieschrittes

摘要

Bei der Herstellung komplexer Transistoren, die beispielsweise Metallgateelektrodenstukturen mit großem &egr; aufweisen, wird ein ausgeprägter Materialverlust eines eingebetteten verformungsinduzierenden Halbleitermaterials kompensiert oder zumindest deutlich verringert, indem ein zweiter epitaktischer Aufwachsprozess nach dem Einbau der Drain- und Sourceerweiterungsdotiermittel ausgeführt wird. Auf diese Weise werden bessere Verformungsbedingungen erreicht, wobei auch die erforderlichen Drain- und Sourcedotierprofile eingerichtet werden.