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Verfahren zur ortsaufgelösten Bestimmung einer lokalen Ladungsträgerlebensdauer in einer Halbleiterstruktur (1), wobei das Verfahren aufweist: Erzeugen von Überschussladungsträgern in der Halbleiterstruktur (1) innerhalb eines vorgebbaren Anregungszeitintervalls (31); Bestimmen, gleichzeitig für jede einer Mehrzahl von Teiloberflächen der Halbleiterstruktur, jeweils von ortsabhängigen ersten Messwerten S1 durch Aufintegrieren von von einer Konzentration der Überschussladungsträger abhängigen Messsignalen innerhalb eines ersten Zeitunterintervals (25), in dem die Konzentration der Überschussladungsträger noch keinen quasi-stationären Zustand erreicht hat, und von ortsabhängigen zweiten Messwerten S2 durch Aufintegrieren von von einer Konzentration der Überschussladungsträger abhängigen Messsignalen innerhalb eines zweiten Zeitunterintervals (27), in dem die Konzentration der Überschussladungsträger einen quasi-stationären Zustand erreicht hat, wobei das erste Zeitunterintervall (25) vor dem zweiten Zeitunterintervall (27) endet; Ermitteln eines Wertes der lokalen Ladungsträgerlebensdauer für jede der Mehrzahl von Teiloberflächen der Halbleiterstruktur durch In-Relation-Setzen des jeweiligen ersten Messwertes S1 mit dem jeweiligen zweiten Messwert S2.
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