Unterschiedliche Schwellwertspannungseinstellung in PMOS-Transistoren durch unterschiedliche Herstellung eines Kanalhalbleitermaterials

摘要

In komplexen Halbleiterbauelementen werden Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; in einer frühen Fertigungsphase bereitgestellt, wobei die Schwellwertspannungseinstellung für p-Kanaltransistoren auf der Grundlage einer schwellwertspannungseinstellenden Halbleiterlegierung, etwa einer Silizium/Germanium-Legierung, für „Langkanalbauelemente” bewerkstelligt wird, während Kurzkanalbauelemente während des selektiven epitaktischen Aufwachsens der Silizium/Germanium-Legierung maskiert sind. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird die Schwellwertspannungseinstellung bewerkstelligt, ohne dass Halo-Implantationsprozesse für die p-Kanaltransistoren durchgeführt werden, während die Schwellwertspannung für die n-Kanaltransistoren mittels Halo-Implantationen eingestellt wird.