| 摘要 |
<p>Eine als eine Barrierenmetallschicht dienende erste Schicht, eine als eine Aluminiumschicht dienende zweite Schicht, eine als eine Aluminiumsiliziumschicht, Aluminiumkupferschicht oder Aluminiumsiliziumkupferschicht dienende dritte Schicht, und eine als eine Lötmittelverbindungsschicht dienende vierte Schicht sind als obere Oberflächenelektroden einer Halbleitervorrichtung in dieser Reihenfolge auf einer oberen Oberfläche eines Halbleitersubstrates geschichtet. Die vierte Schicht kann durch einen nichtelektrolytischen Plattierungsvorgang ausgebildet werden, nachdem die dritte Schicht einer Zinksubstitutionsbehandlung unterzogen wurde. Diese obere Oberflächenelektrode kann einen ohmschen Kontakt zwischen dem Halbleitersubstrat und der oberen Oberflächenelektrode sicherstellen, und eine obere Oberfläche der dritten Schicht mit einer vorteilhaften Ebenheit versehen. Durch Durchführen der Zinksubstitutionsbehandlung auf der dritten Schicht kann eine zinksubstituierte Schicht mit ausgezeichneter Anhaftung und Ebenheit durchgeführt werden. Diese Vorgänge können die vierte Schicht als eine Schicht von vorteilhafter Ebenheit ausbilden.</p> |
