| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von aus elektrisch leitendem Material bestehenden Kontakten auf eine Gruppe von Solarzellen, wobei bei zumindest einer Solarzelle aus der Gruppe der Solarzellen zumindest die Verfahrensschritte zur Anwendung gelangen: a) ganzflächiges homogenes Aufbringen einer Dotierstoffquelle auf zumindest einer Seite eines aus kristallinem Silizium bestehenden Substrats, b) Ausbilden von Phosphorsilikatglas durch Eindiffundieren von Dotierstoff in das Substrat in einem ersten Temperaturschritt bei einer Temperatur T1 über eine Zeit t1, c) lokale Beaufschlagung des Substrats mit Laserstrahlung in Bereichen, in denen das elektrisch leitende Material zur Ausbildung des elektrisch leitenden Kontakts aufzubringen ist, wobei das Phosphorsilikatglas vor oder nach Beaufschlagung der Laserstrahlung entfernt wird, d) Messen des im dotierstoffquellenseitigen Oberflächenbereich des Substrats ausgebildeten SchichtwiderstandsρSH sowohl im als auch seitlich außerhalb von dem gelaserten Bereich in Abhängigkeit von Pulsenergiedichte des das Substrat beaufschlagenden Laserstrahls, e) Aufbringen des elektrisch leitenden Materials auf die gelaserten Bereiche, f) Messen des spezifischen Kontaktwiderstandes zwischen dem gelaserten Bereich und dem auf diesem aufgebrachten elektrisch leitenden Material in Abhängigkeit von Pulsenergiedichte des das Substrat beaufschlagenden Laserstrahls, g) Ermitteln eines Pulsenergiedichtebereichs des Laserstrahls aus den gemessenen Werten, bei denen der SchichtwiderstandρSH im gelaserten Bereich zwischen 0% und 30% im Vergleich zum Schichtwiderstand außerhalb des gelaserten Bereichs reduziert ist und der spezifische Kontaktwiderstand zwischen dem gelaserten Bereich und dem auf diesem aufgebrachten elektrisch leitendem Material zur Bildung des elektrisch leitenden Kontakts zwischen 0 und 10 mΩcm2 liegt, h) Beaufschlagen der restlichen Solarzellen aus der Gruppe nach Durchführen zumindest der Verfahrensschritte a) und b) in den zu kontaktierenden Bereichen der Solarzellen mit einer Laserstrahlung, deren Pulsenergiedichte innerhalb des ermittelten Pulsenergiedichtebereichs liegt.</p> |
