Metallisierungssysteme von Halbleiterbauelementen, die eine Kupfer/Silizium-Verbindung als ein Barrierenmaterial aufweisen

摘要

In komplexen Metallisierungssystemen von Halbleiterbauelementen wird ein empfindliches Kernmetall, etwa Kupfer, effizient mittels eines leitenden Barrierenmaterials eingeschlossen, das eine Kupfer/Siliziumverbindung, etwa ein Kupfersilizid, aufweist, das für ein besseres Elektromigrationsverhalten und eine höhere elektrische Leitfähigkeit im Vergleich zu konventioneller Weise verwendeten Tantal/Tantalnitridbarrierensystemen sorgt.