| 发明名称 |
透明导电薄膜的制备方法 |
| 摘要 |
一种图形化的透明导电薄膜的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列；从碳纳米管阵列中拉取获得至少一层碳纳米管薄膜；提供一支撑体，将上述至少一层碳纳米管薄膜粘附于支撑体上形成一碳纳米管薄膜结构；采用功率密度为10000-100000瓦/平方毫米的激光束以800-1500毫米/秒的扫描速度按照形成预定的图形的路径照射碳纳米管薄膜结构的表面，在碳纳米管薄膜结构中形成预定图形；将碳纳米管薄膜结构中形成预定图形的部分与其他部分分离，形成图形化的透明导电薄膜。 |
| 申请公布号 |
CN101567230B |
申请公布日期 |
2012.06.20 |
| 申请号 |
CN200810066687.3 |
申请日期 |
2008.04.25 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
陈卓;姜开利;范守善 |
| 分类号 |
H01B1/04(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;C03C17/22(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
H01B1/04(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种图形化的透明导电薄膜的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列；从碳纳米管阵列中拉取获得至少一层碳纳米管薄膜；提供一支撑体，将上述至少一层碳纳米管薄膜粘附于支撑体上形成一碳纳米管薄膜结构；采用功率密度为10000‑100000瓦/平方毫米的激光束以800‑1500毫米/秒的扫描速度按照形成预定的图形的路径照射碳纳米管薄膜结构的表面，在碳纳米管薄膜结构中形成预定图形；将碳纳米管薄膜结构中形成预定图形的部分与其他部分分离，形成图形化的透明导电薄膜。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
