| 主权项 |
一种发光装置，包括：第一半导体层(102)，具有第一型掺杂；第二半导体层(104)，具有第二型掺杂；发光区(103)，置于所述第一半导体层(102)与所述第二半导体层(104)之间；第一电极层(101)，邻近所述第一半导体层(102)且远离所述第二半导体层(104)设置；第二电极层(107，204)，邻近所述第二半导体层(104)且远离所述第一半导体层(102)设置；第一多层反射体叠层(110)，置于所述第一电极层(101)与所述第一半导体层(102)之间，所述第一多层反射体叠层(110)至少部分地横过所述第一半导体层(102)的表面而延伸，并且至少包括邻近所述第一电极层(101)设置的第一层以及远离所述第一电极层(101)设置的最后一层；以及第二多层反射体叠层(109，206)，置于所述第二电极层(107)与所述第二半导体层(104)之间，所述第二多层反射体叠层(109)仅部分地横过所述第二半导体层(104)的表面而延伸，并且至少包括远离所述第二电极层(107)设置的第一层以及邻近所述第二电极层(107)设置的最后一层，其中：所述第一多层反射体叠层(110)的至少第一层和最后一层是导电的且光学透明的，并且所述第二多层反射体叠层(109，206)的至少第一层和最后一层是导电的且光学透明的；所述发光区(103)中产生的、入射到所述第一多层反射体叠层(110)上的光的至少60％被所述第一多层反射体叠层(110)反射，并且所述发光区(103)中产生的、入射到所述第二多层反射体叠层(109，206)上的光的至少60％被所述第二多层反射体叠层(109，206)反射；并且所述第二多层反射体叠层(109，206)至少横过所述第二半导体层(104)的表面的、与所述第二电极层(107，204)也横过而延伸的部分相同的部分而延伸，其特征在于，所述第二多层反射体叠层(109)的横向范围小于所述第一多层反射体叠层(110)的横向范围，并且其特征在于，所述发光区(103)中产生的光通过所述第二半导体层(104)的表面的、与所述第一多层反射体叠层(110)相反的、但是所述第二多层反射体叠层(109，206)没有横过而延伸的那些部分从所述装置中提取出。 |
