发明名称 | 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置,该系统包括真空腔室、支架平台、键合装置、电流源和真空泵组,其中:真空腔室,用于提供键合所需的真空或惰性气氛;键合装置,位于真空腔室内部的支架平台上,用于对待键合圆片提供键合压力,并向外部电流源和待键合圆片提供电气连接通路;电流源,通过真空腔室侧壁上的电学穿通件与键合装置相连,为待键合圆片键合区域的电阻丝提供电流,实现局域电阻加热;真空泵组,连接于真空腔室底部,用于对真空腔室抽真空。本发明提供的键合系统及装置,结构紧凑,制作和组装简单,在高真空或可控惰性气体中完成键合,可避免键合过程中氧化物的形成及其对键合质量产生的不良影响。 | ||
申请公布号 | CN102502481A | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
申请号 | CN201110343625.4 | 申请日期 | 2011.11.03 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 毛旭;方志强;杨晋玲;杨富华 |
分类号 | B81C3/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种基于局域加热技术的圆片级低温键合系统,其特征在于,该系统包括真空腔室(1)、支架平台(5)、键合装置(6)、电流源(7)和真空泵组(8),其中:真空腔室(1),用于提供键合所需的真空或惰性气氛;键合装置(6),位于真空腔室(1)内部的支架平台(5)上,用于对待键合圆片提供键合压力,并向外部电流源(7)和待键合圆片提供电气连接通路;电流源(7),通过真空腔室(1)侧壁上的电学穿通件(3)与键合装置(6)相连,为待键合圆片键合区域的电阻丝提供电流,实现局域电阻加热;真空泵组(8),连接于真空腔室(1)底部,用于对真空腔室(1)抽真空。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |