基于FTO的新型全无机氧化物量子点LED及其制作方法

摘要

本发明涉及一种基于FTO的新型全无机氧化物量子点LED及其制作方法，属于半导体照明技术领域。技术方案是：所述LED结构主要由LED正极和阴极、LED正极和阴极之间的载流子迁移层、载流子迁移层之间的LED的发光层以及玻璃基板组成；所述LED制作方法经步骤一、FTO电极(2)的制备，步骤二、NiO薄膜层(3)的制备，步骤三、CdSe/CdS/ZnS量子点的合成与薄膜制备，步骤四、ZnO纳米晶薄膜层(5)的制备，步骤五、蒸镀电极，最后，完成基于FTO的新型全无机氧化物量子点LED的制作。本发明提供上述技术方案使LED发光层和载流子迁移层能级得到合理的匹配，同时简化LED制作工艺，降低封装成本。

主权项

一种基于FTO的新型全无机氧化物量子点LED，主要由LED正极和阴极、LED正极和阴极之间的载流子迁移层、载流子迁移层之间的LED的发光层以及玻璃基板组成，其特征在于，沉积在玻璃基板(1)上的FTO电极(2)作为LED正极，所述载流子迁移层包括作为电子迁移层的ZnO纳米晶薄膜层(5)和作为空穴迁移层的NiO薄膜层(3)，所述NiO薄膜层(3)形成于FTO电极(2)上，所述LED的发光层采用CdSe/CdS/ZnS核壳量子点(4)，所述LED的发光层形成于NiO薄膜层(3)上，所述ZnO纳米晶薄膜层(5)形成于LED的发光层上，所述LED的阴极为Ag电极(6)，Ag电极(6)形成于纳米晶薄膜层(5)上。