发明名称 |
基板的加工方法及半导体芯片的制造方法及带树脂粘接层的半导体芯片的制造方法 |
摘要 |
采用如下的方法,即、在将半导体晶片由采用等离子处理的蚀刻分割为单片的半导体芯片的等离子切割的掩模形成中,在作为背面的蚀刻对象的区域印刷防液性液体形成由防液膜构成的防液图案,向形成该防液图案的背面供给液状的树脂,在防液膜不存在的区域形成膜厚比该防液膜的厚度更厚的树脂膜,另外,使该树脂膜固化,形成覆盖除了在蚀刻中除去的区域以外的掩模。由此,可以不使用光刻法等高成本的方法而能以低成本形成用于蚀刻的掩模。 |
申请公布号 |
CN101978478B |
申请公布日期 |
2012.06.20 |
申请号 |
CN200980110019.9 |
申请日期 |
2009.03.24 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
土师宏;有田洁 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/301(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
张劲松 |
主权项 |
一种基板的加工方法,通过采用等离子处理的蚀刻进行部分除去基板的加工,其特征在于,包括:防液图案形成工序,在所述基板的加工对象面对通过所述蚀刻除去的区域印刷防液性的液体而形成防液图案;树脂膜形成工序,向形成有所述防液图案的基板的所述加工对象面供给液状的树脂,由此,在未形成所述防液图案的区域形成膜厚比所述防液图案的厚度更厚的树脂膜;掩膜形成工序,使所述树脂膜固化,在所述加工对象面上形成覆盖除通过所述蚀刻除去的区域之外的掩膜;防液图案除去工序,在所述掩膜形成工序之后,从所述加工对象面除去所述防液图案;蚀刻工序,在所述防液图案除去工序之后,通过等离子处理从所述基板的加工对象面侧进行蚀刻;掩膜除去工序,在所述蚀刻工序结束之后,从所述加工对象面除去所述掩膜。 |
地址 |
日本大阪府 |