半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

本发明半导体装置的制造方法以及半导体装置,形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。在形成该铁电膜时，使第一金属膜上的金属氧化膜还原以作为第二金属膜，在该第二金属膜上形成铁电膜。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。

主权项

一种半导体装置，具有铁电电容器，其特征在于，具有：与晶体管电连接的第一金属膜；形成在所述第一金属膜上，且结晶粒径小于所述第一金属膜的结晶粒径的第二金属膜；形成在所述第二金属膜上的铁电膜；以及形成在所述铁电膜上的导电膜。