用于高介电常数含铪介电材料的原子层沉积的装置和方法

摘要

本发明的实施例提供用于在诸如原子层沉积(ALD)的气相沉积工艺期间在衬底上沉积介电材料的方法。在一实施例中，方法包括连续暴露衬底至铪前驱物和氧化气体以在其上含铪材料。在另一实施例中，通过连续暴露衬底至氧化气体和含有铪前驱物和硅前驱物的工艺气体中沉积硅酸铪材料。氧化气体含有通过通过氢源气体和氧源气体流经水蒸气发生器所形成的水蒸气。

主权项

一种在设置在工艺腔室内的衬底上形成含铪高k材料的方法，包括：在工艺腔室内提供衬底，该工艺腔室连接一水蒸气发生器；将所述衬底暴露至铪前驱物以在所述衬底上形成含铪层；用清洗气体清洗所述工艺腔室；将所述衬底暴露于氧化气体以在所述衬底上形成铪氧化物高k材料，其中所述氧化气体是包含水蒸气的氧化气体，所述包含水蒸气的氧化气体是通过将氢源气体和氧源气体流经所述水蒸气发生器而形成的并且所述包含水蒸气的氧化气体进入所述工艺腔室；以及用所述清洗气体清洗所述工艺腔室。