发明名称 |
可印刷半导体结构以及相关制造和组装方法 |
摘要 |
本发明提供了一种高产率的用于加工、转移以及组装具有所选择的物理尺寸、形状、成分以及空间取向的高品质可印刷半导体元件的途径。本发明的成分以及方法提供了将微小尺寸和/或纳米尺寸的半导体结构阵列高精度配准转移和集成到基片上,所述基片包括大面积基片和/或柔性基片。此外,本发明提供了从诸如体硅晶片的低成本体材料以及智能材料处理策略来制备可印刷半导体元件的方法,该智能材料处理策略实现了一种用于制备宽范围功能半导体设备的多用途的、以及具有商业吸引力的基于印刷的制造平台。 |
申请公布号 |
CN101632156B |
申请公布日期 |
2012.06.20 |
申请号 |
CN200680019640.0 |
申请日期 |
2006.06.01 |
申请人 |
伊利诺伊大学评议会 |
发明人 |
R·G·纳佐;J·A·罗杰斯;E·梅纳德;李建宰;姜达荣;孙玉刚;M·梅尔特;朱正涛;高興助;S·麦克 |
分类号 |
H01L21/302(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I;H05K3/36(2006.01)I;H01R12/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/302(2006.01)I |
代理机构 |
北京北翔知识产权代理有限公司 11285 |
代理人 |
谢静;杨勇 |
主权项 |
一种用于制造可印刷半导体元件的方法,所述方法包括以下步骤:提供具有(111)取向以及具有外表面的硅晶片;在所述硅晶片的所述外表面上产生多个凹槽特征,其中每个所述凹槽特征包括被曝光硅晶片的底面以及侧面;遮盖所述凹槽特征的所述侧面的至少一部分;在所述凹槽特征之间进行刻蚀,其中刻蚀沿所述硅晶片的<110>方向进行,由此制造所述可印刷半导体元件。 |
地址 |
美国伊利诺伊州 |