| 发明名称 |
拉曼散射基底的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种拉曼散射基底的制备方法，其包括如下步骤：提供一碳纳米管膜结构，该碳纳米管膜结构包括多个通过范德华力相接的碳纳米管；及将至少部分碳纳米管膜结构浸润在一第一溶液直到所述碳纳米管膜结构表面沉积多个金属颗粒，该第一溶液中包括多个金属离子，所述金属离子的标准电极电势大于所述碳纳米管的费米能。 |
| 申请公布号 |
CN101865847B |
申请公布日期 |
2012.06.20 |
| 申请号 |
CN201010202886.X |
申请日期 |
2010.06.18 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
孙颖慧;刘锴;姜开利;范守善 |
| 分类号 |
G01N21/65(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/65(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种拉曼散射基底的制备方法，其包括如下步骤：提供一碳纳米管膜结构，该碳纳米管膜结构包括多个通过范德华力相接的碳纳米管；及将至少部分碳纳米管膜结构浸润在一第一溶液直到所述碳纳米管膜结构表面沉积多个金属颗粒，该第一溶液中包括多个金属离子，所述金属离子的标准电极电势大于所述碳纳米管的费米能。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
