| 发明名称 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底；栅极绝缘介电层，位于所述半导体衬底表面上；栅极，叠加在所述栅极绝缘介电层上表面；源极区域和漏极区域，设置在所述栅极两侧的半导体衬底表面区域中，所述源极区域和漏极区域由沟道区隔开；所述栅极绝缘介电层的第一部分靠近所述漏极区域，第二部分靠近所述源极区域，第一部分的厚度大于第二部分的厚度。本发明的金属氧化物半导体场效应晶体管靠近源极区域的第二部分厚度较薄，提高了栅极对沟道的控制能力，增加饱和电流，提高器件的驱动能力，也减少器件面积。而靠近漏极区域的第一部分厚度较厚，抑制GIDL效应导致的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101447514B | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN200810204969.5 | 申请日期 | 2008.12.30 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 孔蔚然 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底；栅极绝缘介电层，位于所述半导体衬底表面上；栅极，叠加在所述栅极绝缘介电层上表面；源极区域和漏极区域，设置在所述栅极两侧的半导体衬底表面区域中，所述源极区域和漏极区域由沟道区隔开；其特征在于：所述栅极绝缘介电层的第一部分靠近所述漏极区域，第二部分靠近所述源极区域，第一部分的厚度大于第二部分的厚度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||