一种可减小侧墙坡度的氧化层制造方法

摘要

本发明提供了一种可减小侧墙坡度的氧化层制造方法。现有技术并未使用氢氟酸缓冲腐蚀液进行清洗就直接在氧化硅上进行光刻和湿法刻蚀，导致侧墙坡度较大。本发明先通过热氧化工艺在硅衬底上生长氧化硅，然后使用氢氟酸缓冲腐蚀液清洗并进行烘干，之后涂覆光刻胶并进行烘烤，接着进行曝光工艺在光刻胶上形成氧化层的图形，然后进行显影工艺，之后使用氢氟酸缓冲腐蚀液刻蚀形成氧化层，最后去除光刻胶。本发明通过光刻和刻蚀工艺之前的氢氟酸缓冲腐蚀液清洗，有效降低了氧化层表面的致密性及其与光刻胶的粘贴力，从而有效减小侧墙坡度，并有效提高器件的性能。

主权项

一种可减小侧墙坡度的氧化层制造方法，其包括以下步骤：a、通过热氧化工艺在硅衬底上生长氧化硅；b、涂覆光刻胶并进行烘烤；c、进行曝光工艺在光刻胶上形成氧化层的图形；d、进行显影工艺；e、使用氢氟酸缓冲腐蚀液刻蚀形成氧化层；f、去除光刻胶；其特征在于，在步骤a和b间还包括使用氢氟酸缓冲腐蚀液清洗并进行烘干的步骤。