| 摘要 |
1. Электронное переключающее устройство, включающее электроды истока и стока, полупроводниковую структуру, обеспечивающую полупроводниковый канал между электродами истока и стока, и электрод затвора, отделенный от полупроводниковой структуры структурой диэлектрика затвора, причем структура диэлектрика затвора включает первый, неконформный полимерный диэлектрический слой, расположенный в контакте с полупроводниковой структурой, и второй, конформный диэлектрический слой, расположенный между первым диэлектрическим слоем и электродом затвора. ! 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что второй диэлектрический слой содержит парилен. ! 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что первый диэлектрический слой имеет толщину менее 200 нм. ! 4. Устройство по п.2, отличающееся тем, что второй диэлектрический слой имеет толщину в диапазоне 100-1000 нм. ! 5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дрейфовая подвижность составляет более 0,01 см2/Вс. ! 6. Устройство по одному из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что электрод затвора расположен над полупроводниковым слоем и слоем диэлектрика затвора. ! 7. Матрица образованных на подложке электронных переключающих устройств, каждое из которых включает неконформный диэлектрический слой, причем не более 0,1% общего количества устройств, образованных на подложке, дают ток утечки, превышающий 1 мкА/см2 при напряженности электрического поля 5·105 B/см. ! 8. Матрица по п.7, отличающаяся тем, что электронные переключающие устройства включают дополнительный диэлектрический слой. ! 9. Матрица по п.8, отличающаяся тем, что дополнительный диэлектрический слой включает слой парилена. ! 10. Матрица |
