一种制备超细线条的方法

摘要

本发明公开了一种制备超细纳米线条的方法，属于微电子半导体器件晶体管制造的技术领域。该方法将掩膜阻挡氧化及分步氧化工艺相结合来得到悬空超细线条。制备出的悬空超细线条直径可由淀积氮化硅的厚度和两次氧化分别通过时间及温度来精确地控制在20nm，且干法氧化速度较慢，所以对最终细线条的尺寸可以得到精确地控制；同时利用此方法制备超细线条，成本低，可行性高。

主权项

一种制备超细线条的方法，包括以下步骤：a)在硅衬底上沉积氮化硅薄膜；b)在氮化硅薄膜上涂光刻胶；c)光刻定义出将要作为硅线条掩膜图形的区域；d)刻蚀氮化硅，最终将光刻胶上的图形转移到氮化硅薄膜材料上；e)去掉光刻胶；f)各向异性干法刻蚀硅；g)对线条进行湿氧氧化，将硅线条尺寸进行氧化减薄；h)热浓磷酸腐蚀氮化硅；i)对线条进行干氧氧化，将硅线条氧断，使其悬空；j)湿法腐蚀氧化硅至全片脱水，最终得到宽度较细的细线条。