发明名称 |
磷酸溶液中的硅浓度测定装置和测定方法 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种测定装置和测定方法,其能够在不进行任何前处理的条件下,对蚀刻处理中循环使用的高温高浓度的磷酸溶液中的硅浓度连续地、简便且低成本地进行测定,将蚀刻装置管理在经常能够进行良好处理的状态下。上述目的是通过一件磷酸溶液中的硅浓度测定装置实现的,所述的装置用于测定在半导体基板处理装置的运行中用作蚀刻液的磷酸溶液中的硅浓度,其特征在至少具有反应槽和浓度测定槽,上述反应槽具有通过在从半导体基板处理装置中使用的磷酸溶液取出的一定量的磷酸溶液中加入氢氟酸,生成氟化硅化合物,再将该氟化硅化合物蒸发的机构,且上述浓度测定槽具有通过将来自反应槽的蒸发的氟化硅化合物通入去离子水中使其水解的机构、以及测定通气后去离子水中硅浓度变化率的机构。 |
申请公布号 |
CN1892216B |
申请公布日期 |
2012.06.20 |
申请号 |
CN200610110871.4 |
申请日期 |
2006.05.17 |
申请人 |
爱普睿思科技株式会社 |
发明人 |
渡津春留;伊豆田信彦;矢田秀雄 |
分类号 |
G01N31/00(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I;G01N27/06(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I |
主分类号 |
G01N31/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
王健 |
主权项 |
一种磷酸溶液中的硅浓度测定装置,其用于测定在半导体基板处理装置的运行中用作蚀刻液的磷酸溶液中的硅浓度,其特征在于至少具有反应槽和浓度测定槽,上述反应槽具有通过在从半导体基板处理装置中所使用的磷酸溶液取出的一定量的磷酸溶液中加入氢氟酸,生成氟化硅化合物,再将该氟化硅化合物蒸发的机构,且上述浓度测定槽具有通过将来自反应槽的蒸发了的氟化硅化合物通入去离子水中使其水解的机构、以及测定通气后去离子水中硅浓度变化率的机构,其中,上述反应槽具有在将反应槽内的磷酸溶液的液温控制在70~180℃的范围内的状态下添加氢氟酸的手段、以及将该磷酸溶液中的硅化合物以气体的氟化硅化合物的形式从磷酸溶液中蒸发出来的手段。 |
地址 |
日本东京 |