发明名称 |
取代的芴聚合物,其制备方法和在光学设备中的用途 |
摘要 |
一种用于在光学设备中使用的聚合物,其中所说的光学设备含有:空穴迁移区,电子迁移区,发射区,所说的聚合物含有式(I)的非必须取代的重复单元:其中每个Ar相同或不同并且含有非必须取代的芳基。<img file="b2008100051347a00011.GIF" wi="590" he="186" /> |
申请公布号 |
CN101215370B |
申请公布日期 |
2012.06.20 |
申请号 |
CN200810005134.7 |
申请日期 |
2002.05.10 |
申请人 |
剑桥显示技术有限公司 |
发明人 |
C·R·汤斯;R·奥德尔 |
分类号 |
C08G61/02(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I |
主分类号 |
C08G61/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
任宗华 |
主权项 |
1.下式(III)的单体作为用于光学设备中的聚合物的玻璃化转变温度增强剂的用途:<img file="FSB00000693481200011.GIF" wi="667" he="492" />其中每个Ar相同或不同,独立地选自下式(II)的残基:<img file="FSB00000693481200012.GIF" wi="805" he="316" />其中n=1、2或3并且R是助溶基团或氢,和每个P是用于聚合的官能团,所述聚合物含有:-空穴迁移区-电子迁移区-发射区,所述聚合物含有下式(I)的非必须取代的重复单元:<img file="FSB00000693481200013.GIF" wi="495" he="405" />其中每个Ar相同或不同,独立地选自下式(II)的残基:<img file="FSB00000693481200014.GIF" wi="776" he="352" />其中n=1、2或3并且R是助溶基团或氢。 |
地址 |
英国剑桥 |