一种用于集成电路的高低压隔离工艺

摘要

本发明涉及一种用于集成电路的高低压隔离工艺，包括以下步骤：衬底材料选择步骤；N型埋层区域形成步骤；P型下隔离区域形成步骤；外延生长步骤；P型上隔离区域形成步骤；P-区域形成步骤；第一层多晶硅形成步骤；有源区形成步骤；第二层多晶硅形成步骤。本发明可以在同一衬底上实现高压电源和低压电源的隔离。

主权项

一种用于集成电路的高低压隔离工艺，包括以下步骤：步骤一，衬底材料选择步骤；步骤二，N型埋层区域形成步骤，在衬底上生长第一氧化层，该第一氧化层经过光刻、腐蚀、注入和推进后形成N型埋层区域，并生长第二氧化层，其中，是进行磷注入后，在氮气和氧气的气氛下进行推进的；步骤三，P型下隔离区域形成步骤，所述第二氧化层经过光刻、腐蚀、注入和推进后形成P型下隔离区，并生长第三氧化层，其中：是进行硼注入后，在氮气和氧气的气氛下进行推进的；步骤四，外延生长步骤，漂光所述的第三氧化层，生长N型外延层；步骤五，P型上隔离区域形成步骤，在所述的N型外延层表面生长第四氧化层，该第四氧化层经过光刻、腐蚀、注入和推进后形成P型上隔离区域，其中：是进行硼注入后，在纯氮气气氛下进行推进；步骤六，P‑区域形成步骤，在所述P型上隔离区域表面生长第六氧化层，该第六氧化层经光刻构图、注入和推进后形成P‑区域，并在该P‑区域表面生长器件隔离场氧，其中：是进行硼注入后，在氮气和氧气气氛下进行推进的；步骤七，第一层多晶硅形成步骤，在所述的器件隔离场氧表面淀积多晶硅并硼注入，经光刻和刻蚀后形成第一层多晶硅；步骤八，有源区形成步骤，在所述的第一层多晶硅表面淀积一层正硅乙酸乙酯，该正硅乙酸乙酯层经光刻和腐蚀后形成有源区，并在所述有源区表面形成场氧化隔离层；步骤九，第二层多晶硅形成步骤，在所述场氧化隔离层表面淀积多晶硅，进行多晶掺杂，经光刻和刻蚀后形成第二层多晶硅；其中：步骤二包括：在衬底材料上形成一层厚度大于5000A的第一氧化层；在所述的第一氧化层表面涂一层光致抗蚀剂，并对该第一氧化层进行光刻构图，以曝露形成N型埋层区域；腐蚀曝露N型埋层区域表面的二氧化硅，并去除光致抗蚀剂，然后再长一层第一预注入氧化层；在对所述的N型埋层区域进行磷注入后，在氮气和氧气的气氛下对该N型埋层区域进行推进，并在推进过程中生长出第二氧化层；步骤三包括：在所述的第二氧化层表面涂一层光致抗蚀剂，并对该第二氧化层进行光刻构图，以曝露形成P型下隔离区域；湿法腐蚀曝露的所述P型下隔离区域表面的氧化层，并去除光致抗蚀剂，然后生长一层第二预注入氧化层；对曝露的所述P型下隔离区域进行硼注入后，在氮气和氧气的气氛下对该P型下隔离区域进行推进，并在推进过程中生长第三氧化层；步骤五包括：在所述的N型外延层表面生长一层第四氧化层；在所述的第四氧化层表面涂一层光致抗蚀剂，并对该第四氧化层进行光刻构图，曝光显影形成P型上隔离区域；腐蚀曝露的所述P型上隔离区域表面的氧化层，并去除光致抗蚀剂，然后生长一层第三预注入氧化层；对曝露的所述P型上隔离区域进行硼注入后，在纯氮气气氛下对该P型上隔离区域进行推进，并在推进过程中生长第五氧化层；步骤六包括：漂光所述的第五氧化层，生长一层第六氧化层；在所述的第六氧化层表面涂一层光致抗蚀剂，并对该第六氧化层进行光刻构图，曝光显影形成P‑区域；腐蚀曝露的所述P‑区域表面的氧化层，并去除光致抗蚀剂，然后生长一层第四预注入氧化层；对曝露的所述P‑区域进行硼注入后，在氮气和氧气气氛下对该P‑区域进行推进，并在推进后形成厚度大于10000A的第七氧化层，然后腐蚀该第七氧化层表面的二氧化硅，剩余氧化层作为器件隔离场氧；步骤八包括：在所述的第一层多晶硅表面淀积一层正硅乙酸乙酯，并在900℃的温度下以及氧气气氛中对所述的正硅乙酸乙酯进行增密；在该正硅乙酸乙酯表面涂一层光致抗蚀剂，并对其进行光刻构图，曝光显影形成有源区；腐蚀曝露的所述有源区表面的氧化层，并去除光致抗蚀剂，形成场氧化隔离层。