测量CCD芯片暗电流和双倍温度常数的方法

摘要

本发明公开了一种测量CCD芯片暗电流和双倍温度常数的方法。其实现步骤为：将CCD芯片置于杜瓦瓶温控室当中，该温控室密封不透光，设置参考温度使CCD芯片工作于该温度下；再通过控制电路控制CCD芯片拍摄图像信息，上传至计算机；计算所得图像的平均灰度值；然后使用图像的灰度平均值和相应积分时间做拟合曲线，求出暗电流；最后通过测量多个不过温度条件下的暗电流，求出双倍温度常数。本发明具有参数测量精度高、稳定性好的优点，适用于CCD芯片暗电流和双倍温度常数的精确测量。

主权项

1.一种测量CCD芯片暗电流和双倍温度常数的方法，包括如下步骤：1)将待测CCD芯片放置在杜瓦瓶温控室当中，杜瓦瓶温控室密封不透光，使CCD芯片处于一个无光照的环境中，将CCD芯片与控制电路对应接口相连，该控制电路用于控制CCD芯片成像；2)通过CCD芯片自带的电子快门调整CCD芯片的积分时间，控制CCD芯片的曝光量来进行图像拍摄；3)选取温度参数调节杜瓦瓶温控室，使CCD芯片处在一个80K到常温的恒定温度下工作，设温度为T_ref；4)选取至少50个等间隔分布的积分时间(t₁，t₂，t₃…，t_X)，其中X为实际选取的积分时间数目，使用这些积分时间调节CCD芯片的曝光量，对每一个积分时间，拍摄不少于5张图像；5)对于选取的每一个积分时间t_i，i∈1，2，3，...，X，抽取拍摄图像序列中间位置的1张图像，求图像的平均灰度值μ_i；6)对X个坐标(t_i，μ_i/K)，进行线性拟合，得到一条直线，求出该直线的斜率，即为暗电流μ_I，其中K为系统增益，i∈1，2，3，...，X；7)选取Y个等间隔分布的CCD芯片工作温度(T₁，T₂，T₃…，T_Y)，用这些积分时间分别设置CCD芯片的工作温度，对于每一个工作温度T_i，i∈1，2，3，...，Y，测量其对应暗电流μ_Ii，Y为所选取的CCD芯片工作温度的数目；8)由每一个工作温度T_i对应一个暗电流μ_Ii，构造Y个坐标点(log₂μ_Ii，T_i-T_ref)，并对这Y个对标点进行线性拟合得到一条直线，求得该直线斜率a，计算双倍温度常数Y为所选取的CCD芯片工作温度的数目，T_ref为参考温度。