| 发明名称 | 粘合薄膜以及半导体晶片加工用胶带 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种粘合薄膜及半导体晶片加工用胶带，即使在粘合剂附着于胶粘剂层的状态下进行拾取，也可减少封装的回流焊裂痕。本发明的粘合薄膜，其特征在于，由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成，并使用于加工半导体晶片，其中，由差热分析测得的回流焊温度时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。此外，本发明的半导体晶片加工用胶带，具有由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成的粘合薄膜、及设于所述粘合剂层上的胶粘剂层，其中，由差热分析测得的回流焊温度时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102511077A | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN201080005501.9 | 申请日期 | 2010.11.11 |
| 申请人 | 古河电气工业株式会社 | 发明人 | 青山真沙美;石渡伸一;盛岛泰正 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J11/06(2006.01)I;C09J201/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 雒运朴 |
| 主权项 | 一种粘合薄膜，其特征在于，由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成，并使用于加工半导体晶片，其中，由差热分析测得的回流焊温度时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||