发明名称 |
一种无裂缝的SiO<sub>2</sub>胶体晶体的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种无裂缝的SiO2胶体晶体的制备方法,步骤为:①制备SiO2小球:②在600℃~700℃下烧结SiO2小球4~5小时,然后进行分散、静置和纯化;采用一般的固体作为基底;③将浓度为2.0~6.0wt%的SiO2小球胶体溶液,加热至79.1℃~79.4℃后保持恒温;在胶体溶液中插入基底;当胶体溶液中的溶剂挥发完毕时,取出胶体晶体,加热至90~110℃进行干燥处理4~5小时;④以胶体晶体作为基底,重复③,直到得到所需厚度的胶体晶体。该方法得到的胶体晶体具有结构稳定、厚度可控、超厚、无裂缝等优点。工艺简单,设备要求简单,具有安全、易操作和成本相对低廉等特点。 |
申请公布号 |
CN102502659A |
申请公布日期 |
2012.06.20 |
申请号 |
CN201110310115.7 |
申请日期 |
2011.10.13 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
蒋青松;魏合林;易林 |
分类号 |
C01B33/12(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/12(2006.01)I |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 42201 |
代理人 |
曹葆青 |
主权项 |
一种无裂缝的SiO2胶体晶体的制备方法,其特征在于,该方法包括下述步骤:第1步制备SiO2小球:第2步在600℃~700℃下烧结SiO2小球4~5小时,然后进行分散、静置和纯化;第3步将浓度为2.0~6.0wt%的SiO2小球胶体溶液,加热至79.1℃~79.4℃后保持恒温;在胶体溶液中插入基底;当胶体溶液中的溶剂挥发完毕时,取出胶体晶体,加热至90~110℃进行干燥处理4~5小时;第4步以第3步中得到的胶体晶体作为基底,重复第3步,直到得到所需厚度的胶体晶体。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |