| 发明名称 | 硅片背面缺陷正面打点的定位结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种硅片背面缺陷正面打点的定位结构，包括安装硅片的片盒，所述片盒的四周各设有一标尺，其中两根相邻的标尺外侧分别设有一激光定位灯，每个激光定位灯发出的激光与不相邻的两标尺相交，且交点所在的刻度值相同。本实用新型通过对具体缺陷位置的坐标化，改变了现有人为目测计算die位置的费时费力的做法，提高了工作效率和定位准确率，出错概率降低，定位时间缩短，正面划伤概率理论值为零。 | ||
| 申请公布号 | CN202282333U | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN201120399767.8 | 申请日期 | 2011.10.19 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 沈雅雅;陈杰;汪雪锋;高倩 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种硅片背面缺陷正面打点的定位结构，其特征在于：包括安装硅片(1)的片盒，所述片盒的四周各设有一标尺(2)，其中两根相邻的标尺(2)外侧分别设有一激光定位灯(3)，每个激光定位灯(3)发出的激光与不相邻的两标尺(2)相交，且交点所在的刻度值相同。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||