发明名称 |
太阳能电池的制造方法 |
摘要 |
本发明太阳能电池的制造方法,太阳能电池的两电极层设于晶圆的同一侧,使另侧入射的太阳光不会被电极层遮蔽,以提升光电转换效率,且各电极层利用屏蔽层进行气相沉积制程成型,而不需要任何光罩的微影、蚀刻制程,当然也不需要高温制程而破坏了晶圆的品质。 |
申请公布号 |
CN101626045B |
申请公布日期 |
2012.06.20 |
申请号 |
CN200810132694.9 |
申请日期 |
2008.07.10 |
申请人 |
昆山中辰矽晶有限公司 |
发明人 |
洪儒生;徐文庆;何思桦 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
任默闻 |
主权项 |
一种太阳能电池的制造方法,该太阳能电池至少包含有一晶圆以及极性相异的第一、第二电极层,其中,两电极层的接面部分利用气相沉积制程形成于该晶圆的同一侧,且两电极层间具有间距;其中于进行气相沉积制程之前,依序于晶圆顶面形成凹凸状的微结构,再于晶圆底面及晶圆顶面的微结构分别设置第一、第二钝化层,其中该第一钝化层为非晶硅材质或添加掺质碳、氮、氧的硅材质,且该第二钝化层为氧化硅或掺杂的非晶硅材质;以及其中于进行气相沉积制程之后以气相沉积工序于该晶圆底面侧设置一绝缘层;其中该气相沉积制程中包含有第一屏蔽层,该第一屏蔽层具有复数第一开口,将该第一屏蔽层放置于该晶圆一侧进行气相沉积,使该晶圆相对于第一屏蔽层的各第一开口沉积有第一电极接面;其中该晶圆形成第一电极接面的同侧,再利用具有复数第二开口的第二屏蔽层于第一电极接面旁沉积有第二电极接面。 |
地址 |
215316 江苏省昆山开发区高科技工业园汉浦路303号 |