半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。器件部形成工序包括：在基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序、在绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序、和通过对导电层进行图案形成来形成电极的电极形成工序。而且，对基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层的剥离层形成工序，在电极形成工序之前进行。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其包括：器件部形成工序，其在基体层形成包括元件的至少一部分的器件部，其中，该元件包括电极；剥离层形成工序，其对所述基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层；粘贴工序，其将形成有所述器件部的基体层贴在基板上；和分离工序，其将贴在所述基板上的所述基体层的未形成所述器件部的一部分沿着所述剥离层分离除去，该半导体装置的制造方法的特征在于：所述器件部形成工序包括：在所述基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；在所述绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序；和通过对所述导电层进行图案形成而形成所述电极的电极形成工序，所述剥离层形成工序在所述电极形成工序之前、所述导电层形成工序之后进行。