| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成栅极氧化层以及栅电极；在所述栅极氧化层和所述栅电极的侧壁上形成间隙壁绝缘层，同时在所述衬底的背侧形成第一绝缘层；在所述间隙壁绝缘层的侧壁上形成间隙壁，同时在所述第一绝缘层的背侧形成第二绝缘层；在所述衬底上形成源极和漏极；在所述间隙壁上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成高应力诱发层；对所述高应力诱发层进行N2O处理。根据本发明的方法能够有效阻止在应力记忆技术中由于形成SiN层而引发的光刻胶中毒问题，以便降低半导体器件生产的成本，提高良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN102024706B | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN200910196268.6 | 申请日期 | 2009.09.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 吴永玉;徐强 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成栅极氧化层以及栅电极；在所述栅极氧化层和所述栅电极的侧壁上形成间隙壁绝缘层，同时在所述衬底的背侧形成第一绝缘层；在所述间隙壁绝缘层的侧壁上形成间隙壁，同时在所述第一绝缘层的背侧形成第二绝缘层；在所述衬底上形成源极和漏极；在所述间隙壁上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成高应力诱发层；对所述高应力诱发层进行N2O处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||