| 发明名称 | 一种多晶硅薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法，包括：沉积非晶硅；利用激光扫描该非晶硅，使非晶硅初步晶化；对初步晶化的非晶硅退火完成晶化。另外，在激光扫描非晶硅时，还可以在非晶硅上放置掩模。本发明提供的方法可形成具有规则晶粒结构的多晶硅薄膜，均匀性较好。退火温度可以降低至600℃以下使之可以应用于廉价的玻璃衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN102505139A | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN201110307025.2 | 申请日期 | 2011.10.11 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 史亮亮 |
| 分类号 | C30B1/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | C30B1/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种多晶硅薄膜的制造方法，包括：沉积非晶硅；利用激光扫描该非晶硅，使非晶硅初步晶化；对初步晶化的非晶硅退火完成晶化。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号 | ||