半色调型相移掩膜坯料、半色调型相移掩膜及其制造方法

摘要

一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。

主权项

一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有使曝光光透过的透光部、和使一部分曝光光透过的同时使透过的光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和所述相移部的边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度，其中，在透明基板上具有用于形成所述相移部的相移膜的半色调型相移掩膜坯料中，其特征在于：所述相移膜具有依次形成于透明基板上的第一层和第二层，所述第一层和第二层能够用相同刻蚀介质进行连续刻蚀，所述第二层为实质上难以或不可能检测出对透明基板的刻蚀终点的材料，所述第一层为实质上能够检测出对透明基板的刻蚀终点的材料，所述第一层由选自Si、MSix的一种材料构成，所述第二层由SiOx、SiOxNy或者在其中含有选自Mo、Ta、W、Cr、Zr、Hf的一种或两种以上，使M/(Si+M)×100％在10原子％以下的材料构成，所述M为选自Mo、Ta、W、Cr、Zr、Hf的一种或两种以上，所述第二层和透明基板对刻蚀终点检测光的折射率差在0.5以下，所述第一层和透明基板对刻蚀终点检测光的折射率差大于所述第二层和透明基板对刻蚀终点检测光的折射率差。