| 发明名称 | 半导体层生长方法及半导体发光元件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开半导体层生长方法及半导体发光元件制造方法。在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-102)面上生长具有(11-20)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤，使得至少一个面向外，该面选自(11-22)面、(0001)面、(000-1)面、(33-62)面和(1-100)面。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101807522B | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN201010125298.0 | 申请日期 | 2008.05.19 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 大前晓;有持佑之;御友重吾;风田川统之;日野智公 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L33/16(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 马高平 |
| 主权项 | 一种生长半导体层的方法，其包括在六方晶体结构基板的(1‑102)面上生长具有(11‑20)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤，所述半导体层以(0001)面、(000‑1)面和(11‑22)面面向外生长或者以(11‑20)面、(33‑62)面和(000‑1)面面向外生长。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||