| 发明名称 | 非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管，以非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，复合的纳米氧化铟和氧化铟锌的摩尔比为0.5%～1%。将0.5%～1%摩尔比的氧化铟纳米颗粒加入到铟盐-锌盐复合胶体溶液中，利用旋涂法和煅烧，制备出高性能的氧化铟锌薄膜，再将其进行微纳加工如光刻、刻蚀、再光刻以及电极的蒸镀和剥离制备出复合型薄膜场效应晶体管。通过控制工艺条件，可以得到具有高迁移率的场效应晶体管，并且使其具备较高的透光性能。制备方法成本低廉，可实现大规模批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN102509735A | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN201110443501.3 | 申请日期 | 2011.12.27 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 廖蕾;王春兰;刘曰利;刘兴强;陈文;贺彪 |
| 分类号 | H01L29/24(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人 | 汪俊锋 |
| 主权项 | 一种非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管，其特征在于，以非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，复合的纳米氧化铟和氧化铟锌的摩尔比为0.5%～1%。 | ||
| 地址 | 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 | ||