基于e指数半导体器件的嵌入式高灵敏度微加速度计

摘要

本发明涉及微加速度计，具体为一种基于e指数半导体器件的嵌入式高灵敏度微加速度计。本发明解决了现有微加速度计灵敏度低无法满足测量要求的问题。基于e指数半导体器件的嵌入式高灵敏度微加速度计，包括Si基外延2umGaAs衬底、e指数半导体器件、质量块、检测梁、以及控制孔；其是由包括如下步骤的制造方法制得的：e指数半导体器件的制备：刻蚀出控制孔；将质量块背面进行深槽刻蚀；从基片背面ICP刻蚀控制孔直至穿透，继续ICP刻蚀基片背面形成检测梁，最终释放质量块，形成完整的微加速度计结构。本发明所述的微加速度计具有高灵敏度，有效利用了e指数半导体器件的力电耦合、转换机理，可广泛适用于加速度测量。

主权项

1.基于e指数半导体器件的嵌入式高灵敏度微加速度计，包括Si基外延2umGaAs衬底(1)、e指数半导体器件(7)、质量块(8)、检测梁(9)、以及控制孔(10)；其特征在于：其是由包括如下步骤的制造方法制得的：(一)、e指数半导体器件(7)的制备：步骤1：检验Si基外延2umGaAs衬底(1)的表面粗糙度并测量其电阻率、迁移率电学参数；在超真空环境下，采用分子束外延技术在Si基外延2um GaAs衬底(1)上依次生长如下表1所示参数的HEMT薄膜材料和RTD薄膜材料，形成RTT薄膜材料；表1步骤2、将RTT薄膜材料的表面清洗干净后测量其电阻率、迁移率电学参数使之与上一步中Si基外延2umGaAs衬底(1)的电阻率、迁移率电学参数测量结果的比值小于一个数量级；得到基片(6)；步骤3、在基片(6)上涂一层光刻胶，刻蚀RTT薄膜材料，形成RTT台面结构；步骤4、在RTT台面上涂一层光刻胶，刻蚀RTD薄膜材料，形成RTD台面和HEMT台面结构；步骤5、在RTD台面的n-GaAs帽层和HEMT一侧台面的n-GaAs帽层上蒸发淀积一层厚度为的以任意比例混合的金属组合Au-Ge-Ni；继续覆盖一层厚度为的金属Au；在460℃-560℃温度下，经过30s合金化后形成欧姆接触层(2)；步骤6、在HEMT台面上涂一层光刻胶，刻蚀形成N⁺槽，继续刻蚀形成栅槽，从而得到双凹槽结构(3)；步骤7、在栅槽上淀积一层以任意比例混合的金属组合Ti-Pd-Au，继续蒸发淀积一层厚度为的金属Au，形成肖特基接触栅(4)；步骤8、在双凹槽结构(3)上利用PECVD淀积一层厚度为的Si₃N₄钝化层(5)从而将肖特基接触栅(4)隔离；得到e指数半导体器件(7)；(二)在基片(6)上涂一层光刻胶对e指数半导体器件(7)进行保护，利用ICP刻蚀技术在Si基外延2umGaAs衬底(1)正面刻蚀出控制孔(10)，刻蚀深度为检测梁(9)的厚度；(三)、对基片(6)正面进行保护，基片(6)背面减薄，将质量块(8)背面进行深槽刻蚀；(四)、从基片(6)背面ICP刻蚀控制孔(10)直至穿透，继续ICP刻蚀基片(6)背面形成所需厚度且具有弹性的检测梁(9)，最终释放质量块(8)，形成完整的微加速度计结构。