半导体激光元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。

主权项

一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：准备含有缺陷集中区域的成长抑制部被设置在主表面的规定区域内的半导体基板的工序；和使用所述成长抑制部，在所述半导体基板的主表面上，使具有相对于所述半导体基板的主表面倾斜的主表面并且包括发光层的半导体元件层成长的工序，所述成长抑制部包括互相隔开规定的间隔配置在所述半导体基板的主表面上的第一成长抑制部和第二成长抑制部，所述半导体元件层的主表面在所述第一成长抑制部和所述第二成长抑制部之间形成为凹状，该半导体激光元件的制造方法还包括在所述半导体元件层的主表而的中央部以外的区域形成作为至所述发光层的电流通路部发挥作用的凸部的工序。