发明名称 | 光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法,用于光刻尺寸超规格产生光刻尺寸偏差时,进一步刻蚀衬底上的主介质膜,达到设定的主介质膜线宽,其中主介质膜上有刻蚀阻挡层,刻蚀阻挡层上涂有光刻胶;具体包括如下步骤:(1)根据光刻尺寸偏差计算刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值;(2)根据刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值,通过改变刻蚀参数调整刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度;(3)进一步刻蚀主介质膜,得到设定的主介质膜线宽。因为本发明用上述方法改变了光刻尺寸超规格后需要返工作业的工艺流程,经过修正后仍可得到设定的主介质膜线宽,进而可以大幅度增加光刻工艺窗口,减少因光刻线宽超规格的返工,降低生产成本。 | ||
申请公布号 | CN101441407B | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
申请号 | CN200710094242.1 | 申请日期 | 2007.11.19 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 曾林华;刘鹏;吕煜坤 |
分类号 | G03F1/72(2012.01)I | 主分类号 | G03F1/72(2012.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 周赤 |
主权项 | 一种光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法,用于光刻尺寸超规格产生光刻尺寸偏差时,进一步刻蚀衬底上的主介质膜,达到设定的主介质膜线宽,其中所述主介质膜上有刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层上涂有光刻胶;其特征在于,包括如下步骤:(1)根据所述光刻尺寸偏差计算所述的刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值,计算公式如下:2*T*ctgA=δ+2*T*ctg(A+θ)其中,T为所述刻蚀阻挡层的厚度;A为所述刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度;δ为所述光刻尺寸偏差;θ为所述刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值,θ可以是正值或负值;(2)根据所述刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值,通过改变刻蚀参数调整刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度;所述刻蚀断面角度为0度~90度;(3)进一步刻蚀主介质膜,得到设定的主介质膜线宽。 | ||
地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |