编程不同大小的容限及在选择状态下使用补偿进行感测以改进非易失性存储器中的读取操作

摘要

非易失性存储器读取操作在存储器单元的表观阈值电压可能已移位时补偿浮动栅极耦合。可使用基于从相邻存储器单元读取的电荷电平的参考值来读取所关注的存储器单元。错读所述相邻单元可在特定编程方法中具有较大影响，且更具体来说，可在这些方法中读取相邻存储器单元的特定状态或特定电荷电平时具有较大影响。在一个实施例中，对存储器单元进行编程以在其中错读相邻存储器单元更有害的特定状态之间创建较宽容限。此外，在一个实施例中，当以某些参考电平读取时而非以其它参考电平(例如，其中已创建较宽容限的参考电平)读取时，通过基于相邻单元的状态补偿浮动栅极耦合来读取存储器单元。

主权项

一种读取非易失性存储装置的方法，其包括：接收读取第一非易失性存储元件的请求；响应于所述请求来读取第二非易失性存储元件，所述第二非易失性存储元件邻近所述第一非易失性存储元件且能够以至少四种物理状态存储数据；应用第一参考，以便以第一经编程状态与第二经编程状态之间的电平读取所述第一非易失性存储元件；应用第二参考，以便以所述第二经编程状态与所述第三经编程状态之间的电平读取所述第一非易失性存储元件；当所述第二非易失性存储元件处在第一子组的所述物理状态中时，使用以第一电平应用所述第一参考的结果及以第二电平应用所述第二参考的结果确定所述第一非易失性存储元件的数据；及当所述第二非易失性存储元件处在第二子组的所述物理状态中时，使用以所述第一电平应用所述第一参考的结果及以第三电平应用所述第二参考的结果确定所述第一非易失性存储元件的数据。