发明名称 |
耐高过载高灵敏度平面电极结构热释电探测器 |
摘要 |
耐高过载高灵敏度平面电极结构热释电探测器,其特征在于在热释电晶片的下表面上制备一层全反射电极,在全反射电极的下表面上制备一层绝热层,绝热层的下表面与衬底用粘接胶粘接;在热释电晶片的上表面的中心位置制备红外吸收层,从红外吸收层引出金丝引线;在热释电晶片的上表面、红外吸收层的周围制备一层引出电极,引出电极与红外吸收层之间不相连接,引出电极引出金丝引线。本实用新型的下电极通过电容耦合的方式从热释电晶片的背面转换至正面,实现了电极结构的平面化,降低了工艺难度,提高了成品率;绝热层减小了热释电晶片与衬底之间的热传导,提高了探测器的灵敏度;红外吸收层增加了探测器的红外吸收率,提高了探测器的红外探测率。 |
申请公布号 |
CN202281652U |
申请公布日期 |
2012.06.20 |
申请号 |
CN201120420309.8 |
申请日期 |
2011.10.29 |
申请人 |
昆明物理研究所 |
发明人 |
太云见;袁俊;信思树;龚晓霞;何雯瑾 |
分类号 |
G01J5/10(2006.01)I;G01J5/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01J5/10(2006.01)I |
代理机构 |
昆明今威专利商标代理有限公司 53115 |
代理人 |
赛晓刚 |
主权项 |
耐高过载高灵敏度平面电极结构热释电探测器,其特征在于:在热释电晶片(2)的下表面上制备一层全反射电极(1),在全反射电极的下表面上制备一层绝热层(7),绝热层的下表面与衬底(5)用粘接胶(6)粘接;在热释电晶片的上表面的中心位置制备红外吸收层(3),从红外吸收层引出金丝引线(4);在热释电晶片的上表面、红外吸收层的周围制备一层引出电极(9),引出电极与红外吸收层之间不相连接,引出电极引出金丝引线。 |
地址 |
650223 云南省昆明市五华区教场东路31号 |