| 发明名称 | 凸点的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种凸点的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层上的开口暴露出金属垫层；在钝化层开口内的金属垫层及钝化层上形成金属屏蔽层；在金属屏蔽层上形成光刻胶层，所述光刻胶层上有与金属垫层位置对应的开口；将半导体衬底放入含氢离子或氢氧根离子的电解池溶液内；利用外加电场进行反应以处理金属屏蔽层表面；在光刻胶层开口内的金属屏蔽层上形成凸点下金属层和焊料层；去除光刻胶层后，回流焊料层，形成凸点。本发明消除了后续凸点内产生的空洞，使所有凸点的尺寸保持一致，避免了短路和断路的发生，提高了封装的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN102024719B | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN200910195980.4 | 申请日期 | 2009.09.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王津洲 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种凸点的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层上的开口暴露出金属垫层；在钝化层开口内的金属垫层及钝化层上形成金属屏蔽层；在金属屏蔽层上形成光刻胶层，所述光刻胶层上有与金属垫层位置对应的开口；将半导体衬底放入含氢离子或氢氧根离子的电解池溶液内；利用外加电场进行反应以处理金属屏蔽层表面；在光刻胶层开口内的金属屏蔽层上形成凸点下金属层和焊料层；去除光刻胶层后，回流焊料层，形成凸点。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||