| 发明名称 | 基于铌酸锂光子线的光定向耦合器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于铌酸锂(缩写为LN)光子线的光定向耦合器，由铌酸锂基底、二氧化硅覆层和平行对称的LN波导组成，其中，LN波导的高度为0.73μm，顶部宽度为0.4μm～0.55μm，波导的中心距为0.6μm～0.9μm。工作波长λ＝1.55μm.适合于该定向耦合器的波导参数是：LN波导的折射率nLN＝2.2；SiO2区域的折射率nSiO2＝1.44；可被用于基于铌酸锂光子线的高集成度光路。利用OptiveFDTD商用软件仿真了该定向耦合器的耦合长度与两平行LN光波导轴间距的关系曲线，耦合长度与LN波导宽度的关系曲线，串噪音与工作波长的关系曲线。该光定向耦合器不仅具有超紧凑结构，和与极化无关的特点，而且还具有抵抗外部环境及压力变化引起结构参数改变，从而导致耦合长度变化的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102508338A | 申请公布日期 | 2012.06.20 |
| 申请号 | CN201110374357.2 | 申请日期 | 2011.11.22 |
| 申请人 | 西安邮电学院 | 发明人 | 陈明;刘子晨 |
| 分类号 | G02B6/28(2006.01)I;G02B6/125(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人 | 李郑建 |
| 主权项 | 一种基于LN光子线的光定向耦合器，其特征在于，由铌酸锂基底、二氧化硅覆层和平行对称的波导组成，其中，波导的高度为0.73μm，波导的顶部宽度为0.4μm～0.55μm，波导的中心距为0.6μm～0.9μm。 | ||
| 地址 | 710021 陕西省西安市韦郭路 | ||