基于低温制备的Ag₂S片状纳米晶阵列与P3HT杂化的薄膜光电转换器件

摘要

一种基于低温制备的Ag2S片状纳米晶阵列与P3HT杂化的薄膜光电转换器件。它是在具有金属银表面的ITO玻璃或柔性ITO基底材料上原位、0℃～60℃反应制得Ag2S片状纳米晶薄膜，在纯氩气环境中与P3HT复合，然后在其表面蒸镀一层Au作为正极的光电转换器件。做法是在清洁的ITO表面溅射一层200～300nm厚度的银薄膜，令其在0℃～60℃条件下和单质硫在DMF中反应，得到一层Ag2S纳米晶薄膜，经无水乙醇洗涤，40℃真空干燥，在通有纯氩气的手套箱中，将浓度为10mg/mL的P3HT氯仿溶液旋涂到Ag2S纳米晶薄膜上形成异质结，在氮气保护下40～60℃干燥2小时以上，最后在薄膜表面蒸镀单质金作为电池正极而成。该薄膜光电转换器件的Voc＝0.24V，Jsc＝11.19mA/cm2，η＝1.23％，FF＝44.84％，电池性能稳定，放置190天未检测到电池效率的衰减。

主权项

一种基于Ag2S片状纳米晶阵列与P3HT杂化构成的薄膜光电转换器件，其特征在于：该器件是在具有纳米金属银表面的ITO基底材料上原位、0℃～60℃反应制得Ag2S片状纳米晶薄膜，并在纯氩气环境中与P3HT复合，利用真空蒸镀技术在该P3HT复合薄膜表面蒸镀一层Au作为正极的薄膜光电转换器件；所述的具有金属银表面的ITO基底材料是指表面镀有一层厚度为200～300nm的金属银薄膜的ITO导电玻璃。