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发明名称 GROWTH OF PLANAR NON-POLAR (1-100) M-PLANE GALLIUM NITRIDE WITH METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD)
摘要
申请公布号 KR20120064713(A) 申请公布日期 2012.06.19
申请号 KR20127010536 申请日期 2006.05.31
申请人 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY;THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA 发明人 IMER BILGE M.;SPECK JAMES S.;DENBAARS STEVEN P.;NAKAMURA SHUJI
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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