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Super-Junction-MOSFET, umfassend: ein Halbleitersubstrat; eine Mehrzahl von Source-Halbleiterkanälen, welche in das Halbleitersubstrat eingegraben sind, wobei jeder der Source-Halbleiterkanäle ein oberes Ende und ein unteres Ende hat, die jeweils eine Grundschicht und einen Graben bilden, wobei die Grundschicht eine Oberseite hat, die eine erste Verbindungsschicht und eine zweite Verbindungsschicht bildet, eine Source-Elektrode auf der Oberseite der ersten Verbindungsschicht und der zweiten Verbindungsschicht montiert ist und ein Epitaxie-Halbleitermaterial in dem Graben abgelagert ist; zumindest eine zusätzliche Dotierungsschicht, welche um jeden der Source-Halbleiterkanäle herum befestigt ist, um eine Super-Junction zu bilden; zumindest eine Gate-Elektrode, die zwischen der Oberseite des Halbleitersubstrats und den ersten Verbindungsschichten der Grundschichten der Source-Halbleiterkanäle montiert ist; und eine Drain-Halbleiterschicht, welche auf der Unterseite des Halbleitersubstrats montiert ist.
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