COUCHES MATRICIELLES AMELIOREES POUR LE DEPOT HETECOUCHES MATRICIELLES AMELIOREES POUR LE DEPOT HETEROEPITAXIAL DE MATERIAUX SEMICONDUCTEURS DE NITRURE III EN UTILISANT DES PROCEDES HVPE

摘要

Les procédés de dépôt de matériaux semiconducteurs de nitrure III sur des substrats comprennent le dépôt d'une couche de matériau semiconducteur de nitrure III sur une surface d'un substrat dans une étape de nucléation du procédé HVPE pour former une couche de nucléation ayant une microstructure comprenant au moins un matériau semiconducteur de nitrure III amorphe. La couche de nucléation peut être recuite pour former des îlots cristallins du matériau de nucléation épitaxiale sur la surface du substrat. Les îlots du matériau de nucléation épitaxiale peuvent croître et fusionner dans une étape de coalescence du procédé HVPE pour former une couche matricielle de nucléation du matériau de nucléation épitaxiale. La couche matricielle de nucléation peut au moins en grande partie recouvrir la surface du substrat. Un matériau semiconducteur de nitrure III supplémentaire peut être déposé sur la couche matricielle de nucléation du matériau de nucléation épitaxiale dans une autre étape du procédé HVPE. Les structures finales et intermédiaires comprenant le matériau semiconducteur de nitrure III sont formées par de tels procédés.