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<p>Ein Verfahren zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung. Das Verfahren umfasst das Vorsehen eines transparenten Substrats, das einen Oberflächenbereich umfasst. Eine erste Elektrodenschicht liegt über dem Oberflächenbereich. Eine Kupferschicht ist über der ersten Elektrodenschicht liegend ausgebildet, und eine Indiumschicht ist über der Kupferschicht liegend ausgebildet, um eine mehrschichtige Struktur zu bilden. Mindestens die mehrschichtige Struktur wird einem Wärmebehandlungsprtenden Umgebung unterzogen, um ein Bulk-Kupferindiumdisulfid zu bilden. Das Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial weist einen Oberflächenbereich auf, der durch einen kupferarmen Oberflächenbereich mit einem Atomverhältnis von Kupfer zu Indium von weniger als etwa 0,95:1 und n-leitende Störstelleneigenschaften gekennzeichnet ist. Das Kupferndiumdisulfid-Bulkmaterial, das den kupferarmen Oberflächenbereich ausschließt, bildet einen Absorberbereich, und der kupferarme Oberflächenbereich bildet mindestens einen Abschnitt eines Fensterbereichs für die photovoltaische Dünnschichtvorrichtung.</p> |
