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Eine Schaltung zum Schutz eines elektrischen Verbrauchers gegen Überspannungen weist zum Erzielen eine möglichst effektiven Überspannungsschutzes bei gleichzeitig möglichst kostengünstiger und kompakter Schaltung einen n-Kanal-MOSFET (Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor) (T1) und ein Mittel zum Erzeugen einer Referenzspannung auf, wobei das Mittel zum Erzeugen der Referenzspannung mit dem Gate des MOSFETs (T1) verbunden ist, wobei eingangsseitig an der Schaltung eine Versorgungsspannung anliegt und wobei das Gate unter Verwendung einer Hilfsspannungsquelle derart mit einer Spannung größer als die Versorgungsspannung versorgt ist, dass der MOSFET (T1) durchgesteuert ist.
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