| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung weist eine Gate-Elektrode, die auf einem Substrat vorgesehen ist und Al oder eine Al-Legierung enthält, einen Gate-Isolierfilm, der so ausgebildet ist, dass er wenigstens die obere Fläche der Gate-Elektrode bedeckt und einen anodischen Oxidfilm enthält, der durch Anodisierung des Al oder der Al-Legierung der Gate-Elektrode erhalten wird; und eine Isolatorschicht auf, die so auf dem Substrat ausgebildet ist, dass sie die Gate-Elektrode umschließt, und eine Dicke hat, die im Wesentlichen gleich einem Gesamtwert der Dicke der Gate-Elektrode und der Dicke des Gate-Isolierfilms ist, der auf der oberen Fläche der Gate-Elektrode ausgebildet ist.
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