Metallgatestruktur mit großemε

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements bereitgestellt. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Substrats. Das Verfahren umfasst ferner das Bilden eines Gatestapels mit einer Gateelektrode auf dem Substrat, wobei das Bilden des Gatestapels das Bilden einer Metallgateelektrodenschicht umfasst. Es wird eine Puffergateelektrodenschicht auf der Metallgateelektrodenschicht hergestellt und eine obere Gateelektrodenschicht mit einer Polysiliziumlegierung wird über der Metallgateelektrodenschicht erzeugt.