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In einer Ausführung umfasst ein lateraler MOSFET ein aktives Gate, das seitlich zwischen einem Source-Bereich und einem Drain-Bereich positioniert ist, wobei sich der Drain-Bereich von einer oberen Fläche eines monokristallinen Halbleiterkörpers zu einer unteren Fläche des monokristallinen Halbleiterkörpers erstreckt, und ein nicht-aktives Gate, das über dem Drain-Bereich positioniert ist. In einer anderen Ausführung umfasst der laterale MOSFET ein Gate, das seitlich zwischen einem Source-Bereich und einem Drain-Bereich positioniert ist, wobei sich der Drain-Bereich von einer oberen Fläche eines monokristallinen Halbleiterkörpers zu einer unteren Fläche des monokristallinen Halbleiterkörpers erstreckt, wobei der Source-Bereich und der Drain-Bereich von einem ersten Leitungstyp sind, einen Heavy-Body-Bereich eines zweiten Leitungstyps, der in Kontakt mit und unter dem Source-Bereichs ist, und der Drain-Bereich einen schwach dotierten Drain (LDD)-Bereich aufweist, der benachbart zu einer Kante des Gates ist, und eine Senke, die sich von der oberen Fläche des monokristallinen Körpers zu einer unteren Fläche des monokristallinen Halbleiterkörpers erstreckt.
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