发明名称 |
4260纳米带通红外滤光片 |
摘要 |
本实用新型公开了一种4260纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板、以Ge、Si、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、Si、SiO为镀膜材料的第二镀膜层,基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,主要是第一镀膜层包含了由内到外依次排列二十九层不同或相同厚度的镀膜材料SiO层和Ge层,第二镀膜层包含了有内到外依次排列十三层不同或相同厚度的镀膜材料SiO层和Ge层。本实用新型得到的4260纳米带通红外滤光片,能实现中心波长定位为4260±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,极大的提高了信噪比,对二氧化碳的吸收强,提高了二氧化碳分析仪对二氧化碳的测量精度。 |
申请公布号 |
CN202275177U |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201220091369.4 |
申请日期 |
2012.03.12 |
申请人 |
杭州麦乐克电子科技有限公司 |
发明人 |
吕晶 |
分类号 |
G02B5/20(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I |
主分类号 |
G02B5/20(2006.01)I |
代理机构 |
杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 |
代理人 |
唐迅 |
主权项 |
一种4260纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板(2)、以Ge、Si、SiO为镀膜材料的第一镀膜层(1)和以Ge、Si、SiO为镀膜材料的第二镀膜层(3),基板(2)位于第一镀膜层(1)和第二镀膜层(3)之间,其特征是第一镀膜层(1)包含由内到外依次排列329nm厚度的SiO层、129nm厚度的Ge层、379nm厚度的SiO层、162nm厚度的Ge层、369nm厚度的SiO层、208nm厚度的Ge层、440nm厚度的SiO层、137nm厚度的Ge层、276nm厚度的SiO层、181nm厚度的Ge层、726nm厚度的SiO层、110nm厚度的Ge层、352nm厚度的SiO层、142nm厚度的Ge层、237nm厚度的SiO层、365nm厚度的Ge层、583nm厚度的SiO层、153nm厚度的Ge层、209nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层、697nm厚度的SiO层、357nm厚度的Ge层、1006nm厚度的SiO层、405nm厚度的Ge层、601nm厚度的SiO层、464nm厚度的Ge层、895nm厚度的SiO层、443nm厚度的Ge层、552nm厚度的SiO层;第二镀膜层(3)包含由内到外依次排列的612nm厚度的SiO层、307nm厚度的Ge层、2447nm厚度的SiO层、307nm厚度的Ge层、612nm厚度的SiO层、307nm厚度的Ge层、612nm厚度的SiO层、307nm厚度的Ge层、2447nm厚度的SiO层、307nm厚度的Ge层、647nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、638nm厚度的SiO层。 |
地址 |
310000 浙江省杭州市西湖高新园区(杭州麦乐克电子科技有限公司) |